IS43DR86400D-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43DR86400D-3DBLI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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242+ | $6.0805 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TWBGA (8x10.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 64M x 8 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 333 MHz |
Grundproduktnummer | IS43DR86400 |
Zugriffszeit | 450 ps |
IS43DR86400D-3DBLI Einzelheiten PDF [English] | IS43DR86400D-3DBLI PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz
ISSI BGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
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IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz
INTERSIL TQFN16
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43DR86400D-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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